DMG1012T-13
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- 制造商编号：
- DMG1012T-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.270479 | ￥2704.79 |
| 30000 | ￥0.254569 | ￥7637.07 |
| 50000 | ￥0.238659 | ￥11932.95 |
| 100000 | ￥0.211591 | ￥21159.10 |
| 250000 | ￥0.206837 | ￥51709.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 7.4 ns
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
DMG1012T-13 同类别型号
注
DMG1012T-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMG1012T-13
数据手册PDF。
DMG1012T-13
型号：DMG1012T-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.270479 |
| 30000+： | ￥0.254569 |
| 50000+： | ￥0.238659 |
| 100000+： | ￥0.211591 |
| 250000+： | ￥0.206837 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00