货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.271331 | ¥813.99 |
6000 | ¥0.235952 | ¥1415.71 |
15000 | ¥0.200572 | ¥3008.58 |
30000 | ¥0.188735 | ¥5662.05 |
75000 | ¥0.176964 | ¥13272.30 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 470 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN67D8LW-7
型号:DMN67D8LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.271331 |
6000+: | ¥0.235952 |
15000+: | ¥0.200572 |
30000+: | ¥0.188735 |
75000+: | ¥0.176964 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00