FDMD86100
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench Power Clip
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 98 mg
FDMD86100 同类别型号
注
FDMD86100品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
FDMD86100
型号：FDMD86100
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
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