2SK545-11D-TB-E
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
漏源击穿电压 40 V
栅源极击穿电压 - 40 V
闸/源截止电压 - 1.2 V
Vgs=0时的漏-源电流 55 uA
漏极电流 1 mA
耗散功率 100 mW
物理类型
产品种类 JFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 JFETs
类型 JFET
单位重量 8 mg
2SK545-11D-TB-E 同类别型号
注
2SK545-11D-TB-E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-JFET
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替代型号
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数据手册PDF。
2SK545-11D-TB-E
型号：2SK545-11D-TB-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
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