PHKD6N02LT,518
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- 制造商编号：
- PHKD6N02LT,518
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
- 渠道：
- 国内现货digikey
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PHKD6N02LT,518
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 3A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
950pF @ 10V
功率 - 最大值
4.17W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
PHKD6N02LT,518 同类别型号
注
PHKD6N02LT,518品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
PHKD6N02LT,518
型号：PHKD6N02LT,518
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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