货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.109971 | ¥5.11 |
10 | ¥3.601906 | ¥36.02 |
100 | ¥1.817156 | ¥181.72 |
500 | ¥1.482888 | ¥741.44 |
1000 | ¥1.10014 | ¥1100.14 |
2000 | ¥0.925654 | ¥1851.31 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
购物车
0SSM6N44FE,LM
型号:SSM6N44FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.109971 |
10+: | ¥3.601906 |
100+: | ¥1.817156 |
500+: | ¥1.482888 |
1000+: | ¥1.10014 |
2000+: | ¥0.925654 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.11