IPG20N04S4L07ATMA1
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- 制造商编号：
- IPG20N04S4L07ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：4850
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.069787 | ￥23.07 |
| 10 | ￥19.121033 | ￥191.21 |
| 100 | ￥15.218984 | ￥1521.90 |
| 500 | ￥12.878036 | ￥6439.02 |
| 1000 | ￥10.926872 | ￥10926.87 |
| 2000 | ￥10.380556 | ￥20761.11 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPG20N04S4L07ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.2mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3980pF @ 25V
功率 - 最大值
65W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
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注
IPG20N04S4L07ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N04S4L07ATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N04S4L07ATMA1
型号：IPG20N04S4L07ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：4850 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.069787 |
| 10+： | ￥19.121033 |
| 100+： | ￥15.218984 |
| 500+： | ￥12.878036 |
| 1000+： | ￥10.926872 |
| 2000+： | ￥10.380556 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.07