CSD86350Q5DT
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.503621 | ￥38.50 |
| 10 | ￥32.310644 | ￥323.11 |
| 100 | ￥26.142588 | ￥2614.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5 mOhms, 1.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 10.7 nC, 25 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 21 ns
正向跨导（Min） 103 S, 132 S
上升时间 21 ns, 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 150.400 mg
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注
CSD86350Q5DT
型号：CSD86350Q5DT
品牌：TI
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.503621 |
| 10+： | ￥32.310644 |
| 100+： | ￥26.142588 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.50