NE3515S02-T1C-A
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- 制造商编号：
- NE3515S02-T1C-A
- 制造商：
- CEL
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 CEL
商标 CEL
产品 RF JFET
技术类参数
晶体管类型 pHEMT
技术 GaAs
工作频率 12 GHz
漏源击穿电压 4 V
栅源极击穿电压 - 3 V
漏极电流 88 mA
耗散功率 165 mW
正向跨导（Min） 70 mS
NF—噪声系数 0.3 dB
P1dB - 压缩点 14 dBm
规格参数
增益 12.5 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
类型 GaAs pHEMT
NE3515S02-T1C-A 同类别型号
注
NE3515S02-T1C-A品牌厂家：CEL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、NE3515S02-T1C-A
数据手册PDF。
NE3515S02-T1C-A
型号：NE3515S02-T1C-A
品牌：CEL
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00