货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.605564 | ¥1816.69 |
6000 | ¥0.545008 | ¥3270.05 |
15000 | ¥0.484451 | ¥7266.77 |
30000 | ¥0.454174 | ¥13625.22 |
75000 | ¥0.4027 | ¥30202.50 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 460 mOhms, 460 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns, 30 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N43FU,LF
型号:SSM6N43FU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.605564 |
6000+: | ¥0.545008 |
15000+: | ¥0.484451 |
30000+: | ¥0.454174 |
75000+: | ¥0.4027 |
货期:1-2天
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