NTMFD5C446NLT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥75.820715 | ￥75.82 |
| 10 | ￥64.983778 | ￥649.84 |
| 100 | ￥54.153149 | ￥5415.31 |
| 500 | ￥47.782189 | ￥23891.09 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 145 A
漏源电阻 2.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.2 ns
正向跨导（Min） 138 S
上升时间 16.8 ns
典型关闭延迟时间 34.9 ns
典型接通延迟时间 14.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
NTMFD5C446NLT1G 同类别型号
注
NTMFD5C446NLT1G
型号：NTMFD5C446NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥75.820715 |
| 10+： | ￥64.983778 |
| 100+： | ￥54.153149 |
| 500+： | ￥47.782189 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥75.82