
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.660323 | ¥5.66 |
| 10 | ¥3.503281 | ¥35.03 |
| 100 | ¥2.199878 | ¥219.99 |
| 500 | ¥1.635987 | ¥817.99 |
| 1000 | ¥1.45348 | ¥1453.48 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.5 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN62D0UDW-7
型号:DMN62D0UDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.660323 |
| 10+: | ¥3.503281 |
| 100+: | ¥2.199878 |
| 500+: | ¥1.635987 |
| 1000+: | ¥1.45348 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.66