货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.075528 | ¥2688.82 |
5000 | ¥1.006139 | ¥5030.69 |
12500 | ¥0.93675 | ¥11709.38 |
25000 | ¥0.88815 | ¥22203.75 |
62500 | ¥0.867361 | ¥54210.06 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.4 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 22.2 nC
耗散功率 13.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.5 ns
上升时间 6.7 ns
典型关闭延迟时间 25.5 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMT6012LSS-13
型号:DMT6012LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.075528 |
5000+: | ¥1.006139 |
12500+: | ¥0.93675 |
25000+: | ¥0.88815 |
62500+: | ¥0.867361 |
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