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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 73 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.4 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.2 ns
正向跨导(Min) 41
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.6 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM080N03PQ56
单位重量 372.608 mg
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0TSM080N03PQ56 RLG
型号:TSM080N03PQ56 RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
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