CSD87333Q3DT
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥14.643762 | ￥3660.94 |
| 500 | ￥12.940734 | ￥6470.37 |
| 1250 | ￥10.216459 | ￥12770.57 |
| 2500 | ￥9.53539 | ￥23838.47 |
| 6250 | ￥9.058628 | ￥56616.43 |
| 12500 | ￥8.718022 | ￥108975.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 13.4 mOhms
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.2 ns
正向跨导（Min） 43 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
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注
CSD87333Q3DT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87333Q3DT
数据手册PDF
。
CSD87333Q3DT
型号：CSD87333Q3DT
品牌：TI
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥14.643762 |
| 500+： | ￥12.940734 |
| 1250+： | ￥10.216459 |
| 2500+： | ￥9.53539 |
| 6250+： | ￥9.058628 |
| 12500+： | ￥8.718022 |
货期：7-10天
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