STL65DN3LLH5
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL65DN3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ V
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
65A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.5mOhm @ 9.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 25V
功率 - 最大值
60W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
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注
STL65DN3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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STL65DN3LLH5
型号：STL65DN3LLH5
品牌：ST
供货：锐单
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