货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.358865 | ¥5.36 |
10 | ¥3.838444 | ¥38.38 |
100 | ¥1.937916 | ¥193.79 |
500 | ¥1.717829 | ¥858.91 |
1000 | ¥1.336726 | ¥1336.73 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 390 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 350 mS
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 5.1 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSD223P H6327 SP000924074
单位重量 300 mg
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0BSD223PH6327XTSA1
型号:BSD223PH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.358865 |
10+: | ¥3.838444 |
100+: | ¥1.937916 |
500+: | ¥1.717829 |
1000+: | ¥1.336726 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.36