货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.728948 | ¥4322.37 |
5000 | ¥1.609724 | ¥8048.62 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 60 mOhms, 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 6 S, 6 S
上升时间 14 ns, 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0NTMD4N03R2G
型号:NTMD4N03R2G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.728948 |
5000+: | ¥1.609724 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00