FGB7N60UNDF
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.118696 | ￥13.12 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 14 A
耗散功率 83 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 10 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 1.312 g
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注
FGB7N60UNDF品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGB7N60UNDF
数据手册PDF。
FGB7N60UNDF
型号：FGB7N60UNDF
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.118696 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.12