NTMD4N03R2G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 60 mOhms, 60 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 10 ns

正向跨导（Min） 6 S, 6 S

上升时间 14 ns, 14 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 16 ns, 16 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns

高度 1.5 mm

长度 5 mm

宽度 4 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 74 mg