HP8S36TB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 27 A, 80 A

漏源电阻 6.7 mOhms, 2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 4.8 nC, 47 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3.4 ns, 66 ns

正向跨导（Min） 10 S, 30 S

上升时间 4.5 ns, 27 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 25.5 ns, 186 ns

典型接通延迟时间 9.6 ns, 34 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 HP8S36

单位重量 771.020 mg