货期: 8周-10周
起订量:1500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1500 | ¥71.805778 | ¥107708.67 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 111 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0NTMFD5C650NLT1G
型号:NTMFD5C650NLT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1500+: | ¥71.805778 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00