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SI1905BDH-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI1905BDH-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
渠道:
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制造商型号

SI1905BDH-T1-E3

制造商

SILICONIX(威世)

商品描述

MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

2 P-Channel (Dual)

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

630mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

542mOhm @ 580mA, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

62pF @ 4V

功率 - 最大值

357mW

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

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型号:SI1905BDH-T1-E3

品牌:SILICONIX

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