SI6968BEDQ-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.166494 | ￥7.17 |
| 10 | ￥6.33864 | ￥63.39 |
| 25 | ￥5.960546 | ￥149.01 |
| 100 | ￥4.325844 | ￥432.58 |
| 250 | ￥4.171888 | ￥1042.97 |
| 500 | ￥3.614384 | ￥1807.19 |
| 1000 | ￥3.076156 | ￥3076.16 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 510 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 330 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 860 ns
典型接通延迟时间 245 ns
外形参数
高度 1.2 mm
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6968BEDQ-GE3
单位重量 158 mg
SI6968BEDQ-T1-GE3 同类别型号
注
SI6968BEDQ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI6968BEDQ-T1-GE3、查询SI6968BEDQ-T1-GE3代理商；
SI6968BEDQ-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI6968BEDQ-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI6968BEDQ-T1-GE3
替代型号
、SI6968BEDQ-T1-GE3
数据手册PDF。
SI6968BEDQ-T1-GE3
型号：SI6968BEDQ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.166494 |
| 10+： | ￥6.33864 |
| 25+： | ￥5.960546 |
| 100+： | ￥4.325844 |
| 250+： | ￥4.171888 |
| 500+： | ￥3.614384 |
| 1000+： | ￥3.076156 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.17