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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 510 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 330 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 860 ns
典型接通延迟时间 245 ns
高度 1.2 mm
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6968BEDQ-GE3
单位重量 158 mg
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0SI6968BEDQ-T1-GE3
型号:SI6968BEDQ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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