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DMN61D9UDW-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN61D9UDW-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
渠道:
digikey

库存 :10800

货期:国内(1~3工作日)

起订量:10

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10 4.435776 44.36
100 3.286656 328.67
200 2.537136 507.43
500 2.15424 1077.12
800 1.937664 1550.13

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 350 mA

漏源电阻 1.2 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 400 pC

耗散功率 410 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8.4 ns

正向跨导(Min) 200 mS

上升时间 1.8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14.4 ns

典型接通延迟时间 2.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg

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DMN61D9UDW-7

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型号:DMN61D9UDW-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:10800 MPQ:4000 MOQ:1

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10+: ¥4.435776
100+: ¥3.286656
200+: ¥2.537136
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