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起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥4.435776 | ¥44.36 |
100 | ¥3.286656 | ¥328.67 |
200 | ¥2.537136 | ¥507.43 |
500 | ¥2.15424 | ¥1077.12 |
800 | ¥1.937664 | ¥1550.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN61D9UDW-7
型号:DMN61D9UDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥4.435776 |
100+: | ¥3.286656 |
200+: | ¥2.537136 |
500+: | ¥2.15424 |
800+: | ¥1.937664 |
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