DMN61D9UDW-7
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- 制造商编号：
- DMN61D9UDW-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.065968 | ￥5.07 |
| 10 | ￥3.830366 | ￥38.30 |
| 100 | ￥2.385948 | ￥238.59 |
| 500 | ￥1.632725 | ￥816.36 |
| 1000 | ￥1.255866 | ￥1255.87 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.4 ns
正向跨导（Min） 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN61D9UDW-7 同类别型号
注
DMN61D9UDW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN61D9UDW-7
数据手册PDF
。
DMN61D9UDW-7
型号：DMN61D9UDW-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.065968 |
| 10+： | ￥3.830366 |
| 100+： | ￥2.385948 |
| 500+： | ￥1.632725 |
| 1000+： | ￥1.255866 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.07