DMN61D9UDW-7
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- 制造商编号：
- DMN61D9UDW-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
- 渠道：
- digikey
库存 ：61631
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.4 ns
正向跨导（Min） 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN61D9UDW-7 同类别型号
注
DMN61D9UDW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN61D9UDW-7
数据手册PDF
。
DMN61D9UDW-7
型号：DMN61D9UDW-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：61631 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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