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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.532205 | ¥5322.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 346 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 600 mS
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS670S2L H6433 SP001341854
单位重量 8 mg
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0BSS670S2LH6433XTMA1
型号:BSS670S2LH6433XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.532205 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00