货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.968575 | ¥9.97 |
10 | ¥8.610358 | ¥86.10 |
100 | ¥5.961209 | ¥596.12 |
500 | ¥4.980551 | ¥2490.28 |
1000 | ¥4.238762 | ¥4238.76 |
2000 | ¥3.775099 | ¥7550.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC, 7.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.3 ns, 9.3 ns
正向跨导(Min) 1.9 S, 0.92 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns, 9.7 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7509TRPBF SP001570444
单位重量 191.170 mg
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0IRF7509TRPBF
型号:IRF7509TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.968575 |
10+: | ¥8.610358 |
100+: | ¥5.961209 |
500+: | ¥4.980551 |
1000+: | ¥4.238762 |
2000+: | ¥3.775099 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.97