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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.644466 | ¥1933.40 |
6000 | ¥0.608662 | ¥3651.97 |
15000 | ¥0.554991 | ¥8324.86 |
30000 | ¥0.519188 | ¥15575.64 |
75000 | ¥0.465448 | ¥34908.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A, 3.1 A
漏源电阻 35 mOhms, 74 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 12 nC, 14 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 13 ns
上升时间 8 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 21 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC2038LVT-7
型号:DMC2038LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.644466 |
6000+: | ¥0.608662 |
15000+: | ¥0.554991 |
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75000+: | ¥0.465448 |
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