UT6J3TCR
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 60 mOhms, 60 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns, 35 ns
正向跨导（Min） 4 S, 4 S
上升时间 30 ns, 30 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns, 120 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 UT6J3
单位重量 771.020 mg
UT6J3TCR 同类别型号
注
UT6J3TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
UT6J3TCR
型号：UT6J3TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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