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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.666856 | ¥6668.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 1.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.3 ns
上升时间 4.9 ns
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2058UW-13
型号:DMN2058UW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.666856 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00