SIZ902DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ902DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.100691 | ￥22.10 |
| 10 | ￥19.763116 | ￥197.63 |
| 100 | ￥15.412399 | ￥1541.24 |
| 500 | ￥12.731982 | ￥6365.99 |
| 1000 | ￥10.051566 | ￥10051.57 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 12 mOhms, 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC, 65 nC
耗散功率 29 W, 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns,10 ns
正向跨导（Min） 47 S, 63 S
上升时间 12 ns, 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ902DT-GE3
单位重量 337.318 mg
SIZ902DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ902DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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、SIZ902DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ902DT-T1-GE3
型号：SIZ902DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.100691 |
| 10+： | ￥19.763116 |
| 100+： | ￥15.412399 |
| 500+： | ￥12.731982 |
| 1000+： | ￥10.051566 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.10