货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.275391 | ¥19.28 |
10 | ¥17.236648 | ¥172.37 |
100 | ¥13.442116 | ¥1344.21 |
500 | ¥11.104356 | ¥5552.18 |
1000 | ¥8.766598 | ¥8766.60 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 12 mOhms, 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC, 65 nC
耗散功率 29 W, 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns,10 ns
正向跨导(Min) 47 S, 63 S
上升时间 12 ns, 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ902DT-GE3
单位重量 337.318 mg
购物车
0SIZ902DT-T1-GE3
型号:SIZ902DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.275391 |
10+: | ¥17.236648 |
100+: | ¥13.442116 |
500+: | ¥11.104356 |
1000+: | ¥8.766598 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.28