
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.392143 | ¥8.39 |
| 10 | ¥7.233853 | ¥72.34 |
| 30 | ¥6.589144 | ¥197.67 |
| 100 | ¥5.867944 | ¥586.79 |
| 500 | ¥5.540126 | ¥2770.06 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 325 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench T2
单位重量 2 g
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0IXTP80N12T2
型号:IXTP80N12T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.392143 |
| 10+: | ¥7.233853 |
| 30+: | ¥6.589144 |
| 100+: | ¥5.867944 |
| 500+: | ¥5.540126 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.39