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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.795455 | ¥7954.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 450 mA, 310 mA
漏源电阻 990 mOhms, 1.9 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 500 pC, 400 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.4 ns, 16.4 ns
上升时间 3.3 ns, 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 31.1 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 5.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
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0DMC2990UDJ-7
型号:DMC2990UDJ-7
品牌:DIODES
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