货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.073272 | ¥15219.82 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16 A, 35 A
漏源电阻 6.8 mOhms, 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC, 60 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 12 ns
正向跨导(Min) 45 S, 85 S
上升时间 15 ns, 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ710DT-GE3
单位重量 337.318 mg
购物车
0SIZ710DT-T1-GE3
型号:SIZ710DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.073272 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00