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制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA, 500 mA
漏源电阻 470 mOhms, 1.02 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 950 mV
栅极电荷 700 pC, 2.1 nC
耗散功率 380 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 51 ns, 6 ns
正向跨导(Min) 1 S, 480 mS
上升时间 9.2 ns, 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns, 2.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934067143147
单位重量 1.200 mg
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0PMCXB900UEZ
型号:PMCXB900UEZ
品牌:Nexperia
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