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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB057N06N SP000962140
单位重量 4 g
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0IPB057N06NATMA1
型号:IPB057N06NATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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