FDMB3800N
库存 ：150
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.894631 | ￥16.89 |
| 10 | ￥15.132241 | ￥151.32 |
| 100 | ￥11.799502 | ￥1179.95 |
| 500 | ￥9.747108 | ￥4873.55 |
| 1000 | ￥7.694957 | ￥7694.96 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 1.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 67 mg
FDMB3800N 同类别型号
注
FDMB3800N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMB3800N
数据手册PDF。
FDMB3800N
型号：FDMB3800N
品牌：ON
供货：锐单
库存：150 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.894631 |
| 10+： | ￥15.132241 |
| 100+： | ￥11.799502 |
| 500+： | ￥9.747108 |
| 1000+： | ￥7.694957 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.89