
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.432095 | ¥20.43 |
| 10 | ¥16.760034 | ¥167.60 |
| 100 | ¥13.030819 | ¥1303.08 |
| 500 | ¥11.04562 | ¥5522.81 |
| 1000 | ¥8.997837 | ¥8997.84 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7272DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7272DP-T1-GE3
型号:SI7272DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.432095 |
| 10+: | ¥16.760034 |
| 100+: | ¥13.030819 |
| 500+: | ¥11.04562 |
| 1000+: | ¥8.997837 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.43