货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥22.415681 | ¥22415.68 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22.4 A
漏源电阻 351 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 195.3 W
通道模式 Enhancement
下降时间 5.6 ns
上升时间 7.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52.8 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R150CFD SP001977036
单位重量 324 mg
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0IPB65R150CFDATMA2
型号:IPB65R150CFDATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥22.415681 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00