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ZXMN6A08KTC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN6A08KTC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
渠道:
digikey

库存 :8549

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 7.9 A

漏源电阻 80 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 5.8 nC

耗散功率 4.13 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4.6 ns

正向跨导(Min) 6.6 S

上升时间 2.1 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 12.3 ns

典型接通延迟时间 2.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 340 mg

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型号:ZXMN6A08KTC

品牌:DIODES

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