FDS8858CZ
库存 ：64011
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.533494 | ￥11.53 |
| 10 | ￥10.344473 | ￥103.44 |
| 100 | ￥8.065122 | ￥806.51 |
| 500 | ￥6.662078 | ￥3331.04 |
| 1000 | ￥5.259511 | ￥5259.51 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 60 V
漏极电流 8.6 A
漏源电阻 17 mOhms, 20.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 17 nC, 33 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 16 ns
正向跨导（Min） 27 S / 21 S
上升时间 3 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
FDS8858CZ 同类别型号
注
FDS8858CZ品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDS8858CZ
型号：FDS8858CZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：64011 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.533494 |
| 10+： | ￥10.344473 |
| 100+： | ￥8.065122 |
| 500+： | ￥6.662078 |
| 1000+： | ￥5.259511 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.53