SH8K32GZETB
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.667376 | ￥22.67 |
| 10 | ￥20.230631 | ￥202.31 |
| 100 | ￥15.770828 | ￥1577.08 |
| 500 | ￥13.028074 | ￥6514.04 |
| 1000 | ￥10.285322 | ￥10285.32 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K32
单位重量 83 mg
SH8K32GZETB 同类别型号
注
SH8K32GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K32GZETB
数据手册PDF。
SH8K32GZETB
型号：SH8K32GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.667376 |
| 10+： | ￥20.230631 |
| 100+： | ￥15.770828 |
| 500+： | ￥13.028074 |
| 1000+： | ￥10.285322 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.67