
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.679141 | ¥13.68 |
| 75 | ¥10.969256 | ¥822.69 |
| 150 | ¥9.025462 | ¥1353.82 |
| 525 | ¥7.636853 | ¥4009.35 |
| 1050 | ¥6.479726 | ¥6803.71 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 18.5 nC
耗散功率 80 W
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0TK8Q60W,S1VQ
型号:TK8Q60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.679141 |
| 75+: | ¥10.969256 |
| 150+: | ¥9.025462 |
| 525+: | ¥7.636853 |
| 1050+: | ¥6.479726 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.68