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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1 A
漏源击穿电压 30 V
工作频率 530 MHz
输出功率 630 mW
配置 Single
耗散功率 3 W
栅极电压 25 V
栅源极阈值电压 1.9 V
增益 14.9 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
单位重量 50 mg
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02SK3074TE12LF
型号:2SK3074TE12LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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