ALD114935PAL
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货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥61.841328 | ￥3092.07 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 12 mA
漏源电阻 540 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.0014 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
其它
发货限制：
ALD114935PAL 同类别型号
注
ALD114935PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD114935PAL
数据手册PDF。
ALD114935PAL
型号：ALD114935PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥61.841328 |
货期：7-10天
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