STL66DN3LLH5
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货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥7.010017 | ￥21030.05 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL66DN3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
78.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 25V
功率 - 最大值
72W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
STL66DN3LLH5 同类别型号
注
STL66DN3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
STL66DN3LLH5
型号：STL66DN3LLH5
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥7.010017 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00