SI3139KL-TP
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- 制造商编号：
- SI3139KL-TP
- 制造商：
- MCC(美微科)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.808516 | ￥5.81 |
| 10 | ￥4.306802 | ￥43.07 |
| 25 | ￥3.768453 | ￥94.21 |
| 100 | ￥2.045732 | ￥204.57 |
| 250 | ￥2.034963 | ￥508.74 |
| 500 | ￥1.668886 | ￥834.44 |
| 1000 | ￥1.238205 | ￥1238.20 |
| 2500 | ￥1.087469 | ￥2718.67 |
| 5000 | ￥0.995948 | ￥4979.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI3139KL-TP
制造商
MCC(美微科)
商品描述
P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
680mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
700mOhm @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
170pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-883
封装/外壳
SC-101, SOT-883
SI3139KL-TP 同类别型号
注
SI3139KL-TP品牌厂家：MCC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI3139KL-TP
数据手册PDF。
SI3139KL-TP
型号：SI3139KL-TP
品牌：MCC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.808516 |
| 10+： | ￥4.306802 |
| 25+： | ￥3.768453 |
| 100+： | ￥2.045732 |
| 250+： | ￥2.034963 |
| 500+： | ￥1.668886 |
| 1000+： | ￥1.238205 |
| 2500+： | ￥1.087469 |
| 5000+： | ￥0.995948 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.81